GDDR也就是Graphics Double Data Rate DRAM的缩写，针对显卡设计的高性能DRAM有两个主要特点，一是高密度寻址能力，也就是颗粒的容量要高，以满足显卡对内存容量的要求和显卡设计的要求。高密度图形内存寻址只是设计要面对的一半问题，另一半就是性能，显存必须能提供高速传输，现在的GDDR显存可以提供超过1GT/s的数据传输率。下面这张图表代表了GDDR的发展趋势和主要特征。

我们看到显存的发展趋势，从DDR->GDDR2->GDDR3->GDDR4，其中GDDR4还没有正式发布，GDDR2和GDDR3已经大量应用在高性能显卡中。先来看看它们的最高工作频率（由于是DDR，因此数据传输率要乘于2），GDDR2也是500MHz，而且GDDR2工作电压同DDR1一样是2.5V，因此功耗过高，不过GDDR2的接口界面是SSTL-18（1.8V工作电压）。GDDR3和GDDR2相比最大的区别在于降低了工作，GDDR3的最高工作频率是700MHz，目前三星已经推出550MHz的GDDR3，hynix将会推出700MHz的GDDR3。我们看到GDDR2和GDDR3内部都采用4bank结构，4bit prefetch数据存取，可见它们的架构同样是基于DDR2 SDRAM。GDDR3的接口是POD-18（pseudo open drain），这也是不同于GDDR2的地方。既然是基于DDR2架构，GDDR2和GDDR3的延迟要比DDR1高一些。从封装来看，它们用的都是144Ball FBGA，而且GDDR3都采用8M×32的配置方式，也就是说都是256兆位的大容量颗粒，前面说到GDDR要解决的问题之一就是高密度寻址能力。

　　如果把眼光放远一点，我们可以看到GDDR4，但是我们注意到nVidia的标准和JEDEC及ATi的不一样，nVidia支持的GDDR4仍然是基于4bit prefetch的DDR2核心架构，它的最高频率达到1.2GHz，它内部cell单元的频率已经达到400MHz，这是相当惊人的程度。JEDEC（ATi）则采用8bit Prefetch架构，也就是DDR3的核心，不过DDR3的标准还没有最后确立，因此JEDEC标准的GDDR4什么时候能推出还很难说，GDDR4的最高频率达到了1.4GHz，此外它配置成16M×32的方式，相当于512兆位的容量。下面来看看nVidia和JEDEC（ATi）的GDDR4的相同点，它们都采用136Ball FBGA封装，工作电压1.8V，接口界面为POD-15（1.5V），它们内部都是8 bank结构，GDDR4的cas延迟目前还是未知数。

DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：
1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。

GDDR也就是Graphics Double Data Rate DRAM的缩写，针对显卡设计的高性能DRAM有两个主要特点，一是高密度寻址能力，也就是颗粒的容量要高，以满足显卡对内存容量的要求和显卡设计的要求。高密度图形内存寻址只是设计要面对的一半问题，另一半就是性能，显存必须能提供高速传输，现在的GDDR显存可以提供超过1GT/s的数据传输率。下面这张图表代表了GDDR的发展趋势和主要特征。

我们看到显存的发展趋势，从DDR->GDDR2->GDDR3->GDDR4，其中GDDR4还没有正式发布，GDDR2和GDDR3已经大量应用在高性能显卡中。先来看看它们的最高工作频率（由于是DDR，因此数据传输率要乘于2），GDDR2也是500MHz，而且GDDR2工作电压同DDR1一样是2.5V，因此功耗过高，不过GDDR2的接口界面是SSTL-18（1.8V工作电压）。GDDR3和GDDR2相比最大的区别在于降低了工作，GDDR3的最高工作频率是700MHz，目前三星已经推出550MHz的GDDR3，hynix将会推出700MHz的GDDR3。我们看到GDDR2和GDDR3内部都采用4bank结构，4bit prefetch数据存取，可见它们的架构同样是基于DDR2 SDRAM。GDDR3的接口是POD-18（pseudo open drain），这也是不同于GDDR2的地方。既然是基于DDR2架构，GDDR2和GDDR3的延迟要比DDR1高一些。从封装来看，它们用的都是144Ball FBGA，而且GDDR3都采用8M×32的配置方式，也就是说都是256兆位的大容量颗粒，前面说到GDDR要解决的问题之一就是高密度寻址能力。

　　如果把眼光放远一点，我们可以看到GDDR4，但是我们注意到nVidia的标准和JEDEC及ATi的不一样，nVidia支持的GDDR4仍然是基于4bit prefetch的DDR2核心架构，它的最高频率达到1.2GHz，它内部cell单元的频率已经达到400MHz，这是相当惊人的程度。JEDEC（ATi）则采用8bit Prefetch架构，也就是DDR3的核心，不过DDR3的标准还没有最后确立，因此JEDEC标准的GDDR4什么时候能推出还很难说，GDDR4的最高频率达到了1.4GHz，此外它配置成16M×32的方式，相当于512兆位的容量。下面来看看nVidia和JEDEC（ATi）的GDDR4的相同点，它们都采用136Ball FBGA封装，工作电压1.8V，接口界面为POD-15（1.5V），它们内部都是8 bank结构，GDDR4的cas延迟目前还是未知数。

DDR3显存可以看作是DDR2的改进版，二者有很多相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式。不过DDR3核心有所改进：DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了“Pseudo Open Drain”接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。当然，显存颗粒较长的延迟时间(CAS latency)一直是高频率显存的一大通病，DDR3也不例外，DDR3的CAS latency为5/6/7/8，相比之下DDR2为3/4/5。客观地说，DDR3相对于DDR2在技术上并无突飞猛进的进步，但DDR3的性能优势仍比较明显：
1)功耗和发热量较小：吸取了DDR2的教训，在控制成本的基础上减小了能耗和发热量，使得DDR3更易于被用户和厂家接受。
(2)工作频率更高：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。
(3)降低显卡整体成本：DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。
(4)通用性好：相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存，这对厂商降低成本大有好处。